（本網(wǎng)訊）近日，電子信息工程學(xué)院青年教師堅(jiān)佳瑩博士以第一作者完成的論文“Ultralow-Power RRAM with a High Switching Ratio Based on the Large van der Waals Interstice Radius of TMDs”，在國(guó)際頂級(jí)期刊《ACS Nano》（IF=18.027）上發(fā)表。
低功耗、高開關(guān)比是新一代阻變存儲(chǔ)器的發(fā)展方向，以往的技術(shù)無法在降低阻變存儲(chǔ)器SET功耗的同時(shí)提高其開關(guān)比?；诖耍瑘?jiān)佳瑩博士等人提出了一種通過調(diào)節(jié)過渡金屬硫化物的范德華層間隙半徑(rg)來制備低功耗高開關(guān)比阻變存儲(chǔ)器的方法，使器件開關(guān)比的提高與SET功耗的降低得到了同時(shí)實(shí)現(xiàn)。發(fā)現(xiàn)過渡金屬硫化物阻變存儲(chǔ)器的SET電壓、SET功耗、開關(guān)比和耐受性與rg之間存在很強(qiáng)的相關(guān)性。當(dāng)rg與形成金屬導(dǎo)電細(xì)絲的銀離子半徑之比(rg/rAg+)接近1時(shí)，隨著rg/rAg+的增大，器件的SET電壓和SET功耗垂直下降，開關(guān)比垂直上升。所制備的Ag/[SnS2/PMMA)]/Cu阻變存儲(chǔ)器（rg/rAg+=1.04）的SET電壓、SET功耗和開關(guān)比分別為0.14 V、10-10W和106，經(jīng)過104次循環(huán)和104s的保持時(shí)間后，器件的開關(guān)比仍然可以穩(wěn)定在106以上，綜合性能達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平。
論文鏈接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.2c06728
文：牛艷蓉 審核：陳超波 編輯：張靖唯
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